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NSBC113EDXV6T5 发布时间 时间：2023/11/9 17:33:55 查看 阅读：183

类别：分离式半导体产品

目录

概述

类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）：1K
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：1K
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：3 @ 5mA, 10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 5mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大）：500nA
频率 - 转换：-
功率 - 最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563, SOT-6
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：SOT-563
其它名称：NSBC113EDXV6T5OS

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NSBC113EDXV6T5参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 NPN 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）1k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）1k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)3 @ 5mA，10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）250mV @ 5mA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大500mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-563
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NSBC113EDXV6T5OS

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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