BF844是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及各种功率电子设备中。这款MOSFET以其高效率、低导通电阻和良好的热性能而受到欢迎。BF844通常采用TO-220或DPAK等封装形式,便于在各种电路中使用。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):10A
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):典型值0.27Ω(在VGS=10V时)
功率耗散(PD):30W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220或DPAK
BF844 MOSFET具有多项优良特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))可以显著降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。其次,BF844的最大漏极电流为10A,漏源电压为60V,适用于中等功率的开关应用。此外,BF844的栅极驱动电压范围较宽,可在+10V至+20V之间工作,使得其兼容多种驱动电路。BF844还具备良好的热稳定性和高功率耗散能力,确保在较高负载条件下仍能稳定工作。其封装形式(如TO-220)具有良好的散热性能,适合高功率密度的设计。BF844的开关速度快,适用于高频开关应用,减少开关损耗,提高整体效率。此外,BF844具有较高的耐用性和可靠性,适合工业级应用环境。
BF844 MOSFET广泛应用于多种电子设备和系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)中的功率开关元件,DC-DC转换器中的高频开关,以及电机控制电路中的功率调节元件。此外,BF844也常用于电池管理系统、逆变器、UPS(不间断电源)、LED驱动器和各种电源管理电路。在工业自动化和控制系统中,BF844可用于控制继电器、电磁阀和电机等负载。由于其良好的高频特性,BF844也可用于音频放大器中的功率输出级。
IRFZ44N, STP10NK60Z, FDPF844, FQP8N60