时间：2025/8/9 17:50:11
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2SK3645-01MR是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关应用。该器件采用小型SOT-23封装，适用于需要高效率和紧凑设计的便携式电子设备。该MOSFET具备低导通电阻、高耐压以及良好的热稳定性，能够满足多种电源管理和功率控制的需求。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：20V
最大栅源电压（Vgs）：±12V
最大连续漏极电流（Id）：100mA
导通电阻（Rds(on)）：3.5Ω（典型值）
功率耗散（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
2SK3645-01MR具有多个显著的电气和物理特性，使其在低功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为3.5Ω，这意味着在导通状态下能够减少能量损耗，提高系统的整体效率。其次，该器件的漏源电压额定值为20V，栅源电压范围为±12V，使其能够在中等电压环境下稳定运行。
此外，该MOSFET的最大连续漏极电流为100mA，适用于低电流控制电路。其200mW的功率耗散能力，结合SOT-23的小型封装设计，使得该器件在空间受限的便携式设备中表现出良好的热管理性能。
在工作温度方面，2SK3645-01MR可在-55°C至+150°C的范围内正常工作，适应各种严苛环境条件。这种宽温度范围特性使其适用于工业级和汽车电子应用，其中温度波动较大，稳定性和可靠性至关重要。
最后，该器件的封装形式为SOT-23，便于表面贴装（SMT），提高了生产效率并降低了PCB（印刷电路板）设计的复杂性。
2SK3645-01MR广泛应用于多种低功率开关和信号控制电路中。例如，在便携式电子产品中，它常用于电池供电系统的负载开关，以实现对不同模块的电源管理。由于其具备低导通电阻和良好的开关特性，该MOSFET在DC-DC转换器、LED驱动电路以及信号路由电路中也得到广泛应用。
此外，在工业自动化和通信设备中，该器件可以作为低电流继电器替代方案，用于控制传感器、执行器或其他外围设备的通断。其小型封装设计特别适合空间受限的电路板布局，有助于减小整体设备的尺寸和重量。
在汽车电子系统中，2SK3645-01MR可被用于控制仪表盘照明、车内照明或小型电动机等低功率负载。由于其宽工作温度范围，它能够在极端温度环境下保持稳定运行，从而提升车辆电子系统的可靠性和使用寿命。
总体而言，该MOSFET因其高效率、小尺寸和可靠性，被广泛用于消费电子、工业控制、通信和汽车电子等多个领域。
2SK3645-01ML, 2SK3645-01MS, 2N3904
