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NSBA114EDXV6T1 发布时间 时间:2023/11/6 17:53:07 查看 阅读:123

产品种类: 数字晶体管

目录

概述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: 数字晶体管
配置: Dual
晶体管极性: PNP
典型输入电阻器: 10 KOhm
典型电阻器比率: 1
封装 / 箱体: SOT-563-6
直流电流增益 hFE 最小值: 35 @ 5mA @ 10V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
集电极连续电流: - 0.1 A
峰值直流集电极电流: 100 mA
功率耗散: 357 mW
最大工作温度: + 150

封装: Reel
最小工作温度: - 55

安装风格: SMD/SMT

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NSBA114EDXV6T1参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类Transistors Switching (Resistor Biased)
  • 配置Dual
  • 晶体管极性PNP
  • 典型输入电阻器10 KOhms
  • 典型电阻器比率1
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-563-6
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO50 V
  • 集电极连续电流- 0.1 A
  • 峰值直流集电极电流100 mA
  • 功率耗散357 mW
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 55 C