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IRLR3636TRPBF 发布时间 时间:2024/8/23 15:58:59 查看 阅读:751

针对逻辑电平驱动进行了优化
  4.5V VGS下的极低RDS(ON)
  4.5V VGS下的卓越R*Q
  改进的门、雪崩和动态dV/dt坚固性
  全特征电容和雪崩SOA
  增强体二极管dV/dt和dI/dt能力2
  无铅

应用说明

直流电机驱动
  开关电源中的高效同步整流
  不间断电源
  高速电源切换
  硬开关和高频电路

技术参数

额定功率:143 W
  通道数:1
  针脚数:3
  漏源极电阻:0.0054Ω
  极性:N-Channel
  耗散功率:143 W
  阈值电压:2.5 V
  输入电容:779 pF
  漏源极电压(Vds):60 V
  漏源击穿电压:60 V
  连续漏极电流(Ids):99A
  上升时间:216 ns
  输入电容(Ciss):3779pF 50V(Vds)
  额定功率(Max):143 W
  下降时间:69 ns
  工作温度(Max):175℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):143W(Tc)

封装参数

安装方式:Surface Mount
  引脚数:3
  封装:TO-252-3

外形尺寸

长度:6.73 mm
  宽度:6.22 mm
  高度:2.39 mm
  封装:TO-252-3

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free

其他

产品生命周期:Active
  包装方式:Tape&Reel(TR)
  制造应用:Battery Operated Drive

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IRLR3636TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.8 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs49nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3779pF @ 50V
  • 功率 - 最大143W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLR3636TRPBFTR