NS2W757AT-V1 时间：2025/9/11 3:19:33 阅读：20

NS2W757AT-V1是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT）阵列器件，主要用于需要双晶体管结构的模拟和数字电路设计中。该器件内部集成了两个独立的NPN晶体管，具有共基极（Common Base）配置，适用于各种放大、开关和信号处理应用。NS2W757AT-V1采用了SOT-23-6封装，适合在空间受限的PCB设计中使用，同时也具备良好的热稳定性和高频响应能力。

参数

晶体管类型：NPN 双晶体管阵列
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极电流（IC）：100mA（每个晶体管）
　　最大功耗（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110（最小值，典型值为300）
　　封装形式：SOT-23-6
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

NS2W757AT-V1的主要特性在于其双晶体管集成结构，使得在设计差分放大器、电流镜、逻辑门电路等电路时更加方便。该器件采用了先进的硅外延平面工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性。
　　每个晶体管的电流增益（hFE）在1mA集电极电流条件下可达到110以上，且随着电流的变化增益波动较小，适用于高精度放大电路。此外，该器件具有较高的截止频率（fT为100MHz），能够在中高频范围内保持良好的放大性能，适合用于射频前端电路或高速开关电路。
　　NS2W757AT-V1的SOT-23-6封装具有6个引脚，其中两个晶体管的基极、集电极和发射极各自独立引出，便于用户根据需要连接。该封装形式具有良好的热管理能力，适合在高温环境下使用，并且符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺。
　　此外，该器件的功耗较低，典型工作电流在几毫安至几十毫安之间，适合用于低功耗设计。由于其高集成度和一致性，NS2W757AT-V1广泛用于运算放大器输入级、模拟开关、电压调节器、传感器接口电路以及音频放大电路等应用中。

应用

NS2W757AT-V1适用于多种模拟和数字电路设计，常见应用包括差分放大器、电流镜、推挽输出级、逻辑门电路、振荡器、电压基准源、传感器信号调理电路等。
　　在音频放大器中，该器件可用于前置放大级或推动级，提供高增益和低失真性能。在电源管理电路中，NS2W757AT-V1可用于构建低压差线性稳压器（LDO）的调整管，实现高效的电压调节。此外，该器件也适用于工业控制、通信设备、消费电子和汽车电子等领域的各种模拟信号处理和数字开关控制应用。
　　由于其高频率响应特性，NS2W757AT-V1也可用于射频前端电路中的混频器、调制器或解调器，以及高速比较器和驱动电路中。