时间：2025/12/27 9:49:26
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NS12565T2R0NN是一款由Novosense（纳芯微电子）推出的高精度、低功耗的隔离式Σ-Δ调制器，广泛应用于工业自动化、电机控制、电源管理和新能源等领域。该器件集成了高性能的模拟前端和单通道Σ-Δ调制器内核，并通过电容隔离技术实现输入信号与数字输出之间的电气隔离，能够在恶劣的电磁环境中稳定工作。NS12565T2R0NN特别适用于需要对电流或电压进行高分辨率采样的场合，例如在三相逆变器、伺服驱动器、光伏逆变器和电动汽车车载充电机中用于实时监测相电流。该芯片采用SOP16宽体封装，具备良好的散热性能和抗干扰能力，支持高达5kVRMS的隔离耐压和1200V的最大工作电压（VIORM），满足IEC 60950、IEC 61010等国际安全标准。其输入端兼容±200mV满量程差分输入信号，经过内部可编程增益放大器（PGA）后送入Σ-Δ调制器，输出为高速1位数据流（SDO），可通过外部DSP或MCU配合数字滤波器还原为高精度多比特数字信号。NS12565T2R0NN还内置了丰富的诊断功能，包括开路检测、短路检测、电源监控和通信链路自检机制，显著提升了系统的可靠性和安全性。
型号：NS12565T2R0NN
制造商：Novosense（纳芯微）
类型：隔离式Σ-Δ调制器
通道数：1通道
输入类型：差分
输入满量程电压：±200mV
增益可选：1或2（通过引脚配置）
输出数据格式：1位Σ-Δ调制输出（SDO）
输出接口：SPI兼容模式（可配置）
采样速率：最高支持20MHz时钟输入
数据输出速率：取决于外部时钟频率
隔离耐压：5000 VRMS（1分钟，符合UL1577）
工作绝缘电压（VIORM）：1200 VPK
共模瞬态抗扰度（CMTI）：≥100 kV/μs
供电电压（VDD1）：3.0~5.5V（原边）
供电电压（VDD2）：3.0~5.5V（副边）
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
封装形式：SOP16宽体（爬电距离 >8mm）
安全认证：符合IEC 60950、IEC 61010标准
NS12565T2R0NN的核心特性之一是其高精度模拟信号采集能力。该芯片内部集成了一个低噪声、低温漂的可编程增益放大器（PGA），能够将微弱的传感器信号（如来自分流电阻的电流信号）进行精确放大，有效提升信噪比和测量分辨率。其Σ-Δ调制架构提供了高达17位以上的有效分辨率（ENOB），即使在复杂的工业现场也能实现稳定的电流采样。此外，该器件采用了先进的电容隔离技术，在保证信号传输完整性的同时，实现了原边与副边之间的完全电气隔离，防止地环路干扰和高压窜入损坏后级控制系统。
另一个关键特性是出色的抗干扰能力和高共模瞬态抗扰度（CMTI ≥100 kV/μs）。在电机驱动或功率变换应用中，开关器件（如IGBT或SiC MOSFET）会产生剧烈的电压跳变，极易引起隔离器件误动作。NS12565T2R0NN通过优化内部隔离结构和信号编码方式，确保在极端dv/dt环境下仍能稳定传输数据，保障系统控制的准确性。
该芯片还具备全面的故障诊断功能，支持开路检测、电源异常报警、通信链路校验等功能，能够实时反馈前端传感器或线路状态，帮助主控MCU及时采取保护措施，避免设备损坏。同时，其灵活的SPI接口支持多种工作模式配置，便于与各类数字控制器对接。低功耗设计使其在长时间运行中保持温升较低，适合紧凑型高密度电源模块使用。
NS12565T2R0NN主要应用于需要高精度、高可靠性电流检测的工业与电力电子系统。典型应用场景包括三相电机驱动中的相电流采样，特别是在伺服驱动器和变频器中，利用该芯片可以实现精确的磁场定向控制（FOC），提高电机效率和动态响应性能。在新能源领域，该器件被广泛用于光伏逆变器和储能系统的直流侧或交流侧电流监测，配合MPPT算法优化能量转换效率。
在电动汽车相关应用中，NS12565T2R0NN可用于车载充电机（OBC）和DC-DC变换器中的电流闭环控制，确保充电过程的安全与高效。此外，在工业PLC模块、智能电表、UPS不间断电源以及工业机器人关节驱动单元中，该芯片也发挥着重要作用，提供稳定可靠的隔离信号传输方案。
由于其具备高隔离电压和强抗干扰能力，NS12565T2R0NN还可用于医疗设备中的电源监控模块或测试测量仪器中，满足对安全等级要求较高的场合。整体而言，该芯片适用于所有需要将模拟传感器信号远距离、高安全性地传输至数字处理单元的应用场景。
AMC1301B-Q1
AMC1302L
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