KHB7D0N65F1 时间：2025/9/12 11:58:03 阅读：18

KHB7D0N65F1 是一款由东芝（Toshiba）制造的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率和高性能的应用而设计。该MOSFET具有高电压和大电流能力，适用于需要可靠性和稳定性的电源管理系统。它采用先进的制造工艺，确保了在高频开关条件下的低损耗和高效率，同时保持了良好的热稳定性。

参数

类型: N沟道MOSFET
　　漏极电流(Id): 70A
　　漏极-源极击穿电压(Vds): 650V
　　栅极-源极电压(Vgs): ±30V
　　导通电阻(Rds(on)): 0.15Ω
　　工作温度范围: -55°C至150°C
　　封装类型: TO-247

特性

KHB7D0N65F1 MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）的特点，这使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗并减少发热。其高击穿电压（650V）和大漏极电流（70A）能力使其适用于高功率和高电压的环境。此外，该器件设计有快速开关特性，能够在高频条件下保持高效率，从而提高整体系统性能。它的封装形式为TO-247，提供了良好的散热性能和机械稳定性。
　　该MOSFET还具备优异的热稳定性和抗过载能力，能够在极端工作条件下保持可靠运行。其栅极驱动电压范围较宽（±30V），允许使用多种栅极驱动电路。此外，KHB7D0N65F1在设计中采用了先进的硅技术，确保了器件在恶劣环境下的稳定性和长寿命。

应用

KHB7D0N65F1 MOSFET广泛应用于工业电源、开关电源（SMPS）、电机驱动、逆变器以及太阳能和风能转换系统等高功率和高电压领域。其高效率和可靠性使其成为需要高功率密度和高可靠性的设计的理想选择。在电源管理系统中，它可以用于DC-DC转换器、AC-DC电源供应器以及电池管理系统中的高边或低边开关。此外，该器件还可用于电力电子设备中的高频开关应用，例如高频逆变器和功率因数校正（PFC）电路。