CS3N50B3 时间：2025/8/2 1:17:37 阅读：15

CS3N50B3 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源转换和功率开关应用，具备低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等特点。CS3N50B3 通常采用 TO-220 或 DPAK（表面贴装）封装形式，适用于各种电源管理系统，如 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关和电池充电器等。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID）：3A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220 / DPAK

特性

CS3N50B3 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件的 RDS(on) 最大值为 2.5Ω，在高电流工作条件下仍能保持较低的功耗。此外，CS3N50B3 具有较高的漏源击穿电压（500V），能够承受较高的电压应力，适用于高压应用环境。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，典型栅极阈值电压在 2V 至 4V 之间，使其适用于多种驱动电路设计。CS3N50B3 采用先进的工艺制造，具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。其封装形式包括 TO-220 和 DPAK，前者适合插件安装，后者则适合表面贴装，适用于不同类型的 PCB 设计。
　　CS3N50B3 还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和安全性。此外，该器件的开关速度较快，能够满足高频开关应用的需求，从而进一步提升电源转换效率。

应用

CS3N50B3 广泛应用于各类电源管理系统和功率控制电路中。常见应用包括 AC-DC 电源适配器、DC-DC 转换器、电机控制器、LED 驱动器、电池充电器以及工业自动化控制系统中的负载开关等。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适合用于高效率、高稳定性的电源设计。
　　在开关电源（SMPS）中，CS3N50B3 可作为主开关管或同步整流管使用，帮助实现高效的能量转换。在电机驱动电路中，它可用于控制电机的启停和调速，提供可靠的功率输出。在 LED 照明系统中，CS3N50B3 可用于恒流驱动或调光控制，确保光源的稳定性和长寿命。
　　由于其良好的热性能和抗冲击能力，CS3N50B3 也适用于需要高可靠性的工业和消费类电子产品，如不间断电源（UPS）、变频器、电焊机、电磁炉等。在这些应用中，CS3N50B3 能够在高温和高电压条件下稳定工作，确保系统的长期运行可靠性。