IXTP4N95A 时间：2025/8/6 1:01:51 阅读：11

IXTP4N95A是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司生产，适用于高功率和高电压应用。该器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，广泛应用于电源转换器、电机驱动器和工业自动化设备中。IXTP4N95A的封装形式为TO-247，便于散热并适合高功率密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：950V
　　最大漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2Ω（最大）
　　栅极电压范围：±20V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTP4N95A具有多项优异的电气和物理特性，确保其在高功率环境下的稳定性和可靠性。首先，其高达950V的漏源击穿电压（BVdss）使其适用于高压直流和交流电源转换系统。其次，尽管其导通电阻（Rds(on)）为2.2Ω，略高于某些现代低电压MOSFET，但在900V级别的器件中仍然具有竞争力，有助于降低导通损耗。
　　该器件采用了IXYS的高可靠性平面技术，增强了抗雪崩能力，能够在高能量开关条件下保持稳定运行。此外，IXTP4N95A的TO-247封装设计提供了良好的热管理和机械稳定性，适合在高温环境下运行。
　　IXTP4N95A的栅极驱动电压范围为±20V，允许使用标准的MOSFET驱动电路，并具备良好的抗干扰能力。同时，其快速的开关速度和较低的输入电容（Ciss）使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路。

应用

IXTP4N95A广泛应用于需要高压和中等功率处理能力的电子系统中。例如，在电源管理系统中，它可用于高压DC-DC转换器、AC-DC整流器和功率因数校正（PFC）电路。在工业自动化领域，该MOSFET常用于驱动继电器、电磁阀和小型电机。
　　此外，IXTP4N95A也适用于新能源系统，如太阳能逆变器和储能系统中的功率开关单元。由于其具备良好的抗雪崩能力和高温稳定性，因此在高可靠性要求的应用中，如车载电子系统和工业测试设备中也得到了广泛应用。
　　在电机控制方面，IXTP4N95A可以作为H桥电路中的功率开关元件，适用于中功率无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路。其快速开关能力和良好的热性能确保了电机驱动系统的高效和稳定运行。