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NS10155T4R7NNV 发布时间 时间:2025/12/27 10:40:21 查看 阅读:39

NS10155T4R7NNV 是一款由 NeoSem Technology 生产的高性能、高精度电流传感器集成电路(IC),专为工业、汽车及消费类应用中的电流检测需求而设计。该器件采用先进的磁阻(MR)传感技术或霍尔效应原理,能够非接触式地测量直流、交流以及复杂瞬态电流信号,具有出色的线性度、温度稳定性和抗外部磁场干扰能力。NS10155T4R7NNV 集成了信号调理电路、低噪声放大器和高分辨率ADC,输出形式通常为模拟电压或比例式输出,便于与微控制器、PLC 或电源管理系统直接接口。该芯片封装紧凑,适用于空间受限的应用场景,并具备良好的EMI抑制能力和宽工作温度范围,确保在严苛环境下仍能可靠运行。其命名中的‘4R7’可能表示满量程测量范围为±4.7A或其他相关电气参数标识,具体需参考官方数据手册确认。该器件广泛应用于电池管理系统(BMS)、电动工具、伺服驱动器、UPS电源、光伏逆变器以及电动汽车车载充电系统等领域。

参数

型号:NS10155T4R7NNV
  制造商:NeoSem Technology
  感应技术:磁阻(MR)或霍尔效应
  测量类型:双向直流/交流电流检测
  额定测量范围:±4.7A(典型)
  输出类型:模拟电压输出
  供电电压:3.3V 或 5V(典型)
  静态输出电压:Vcc/2(零电流时)
  灵敏度:约 100mV/A(具体依规格书)
  非线性度:< 1%
  响应时间:< 5μs
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  隔离电压:≥2500Vrms(封装支持)
  封装类型:SIP或小型表面贴装封装

特性

NS10155T4R7NNV 采用先进的磁传感核心技术,能够在无需插入采样电阻的情况下实现对导体中电流的精确感知,从而避免了传统分流电阻带来的功率损耗和热管理问题。该芯片内部集成了高精度的磁场感应元件与定制化ASIC信号处理电路,确保从原始磁场信号到最终输出电压之间的转换高度线性且稳定。其内置的温度补偿机制有效降低了因环境温度变化引起的测量漂移,提升了长期工作的可靠性。此外,器件具备优异的共模磁场抑制能力,通过差分传感结构或集成磁通集中器设计,显著减少了邻近导线或外部杂散磁场对测量结果的影响。
  该电流传感器支持双向电流检测,适用于需要监测充放电过程的应用场合,如锂电池管理系统和双向DC-DC变换器。其快速响应时间(小于5微秒)使其能够捕捉瞬态电流尖峰,对于过流保护、短路诊断等安全功能至关重要。输出信号为与输入电流成比例的模拟电压,通常以电源电压的一半作为零点基准,方便与单电源ADC进行匹配采集。器件的工作电源范围覆盖3.3V和5V系统,兼容大多数现代控制平台。
  NS10155T4R7NNV 还具备良好的电气隔离性能,感应元件与主电流路径之间通过绝缘材料物理隔离,提供高达2500Vrms的耐压能力,保障用户设备和操作人员的安全。封装采用小型化设计,适合PCB表面贴装工艺,节省空间的同时也增强了系统的集成度。整体设计符合RoHS环保标准,并通过AEC-Q100等车规级认证(若适用),可用于汽车电子等高要求领域。

应用

NS10155T4R7NNV 主要应用于各类需要高精度、非侵入式电流检测的电子系统中。在电池管理系统(BMS)中,它被用于实时监控电池组的充放电电流,配合电量计算法实现精准的SOC(荷电状态)估算,并支持过流和短路保护功能。在电动工具和无人机电机控制系统中,该传感器可用于相电流采样,为FOC(磁场定向控制)提供反馈信号,提升电机效率和动态响应性能。
  在工业自动化领域,NS10155T4R7NNV 可集成于PLC模块、伺服驱动器或变频器中,用于电机电流监测与故障诊断。在可再生能源系统如太阳能逆变器和风力发电控制器中,该器件可用于直流侧或交流侧电流检测,帮助优化能量转换效率并实现最大功率点跟踪(MPPT)。
  此外,在不间断电源(UPS)、服务器电源、通信电源等电力电子设备中,该芯片可用于输入/输出电流监控,支持负载均衡、故障预警和远程运维功能。在电动汽车中,它可以应用于车载充电机(OBC)、DC-DC转换器以及辅助电池监测单元,满足新能源汽车对安全性、可靠性和小型化的多重需求。由于其宽温区工作能力和高抗干扰特性,也适用于户外或高温工业环境下的长期部署。

替代型号

ACS712ELCTR-05B-T
  TMCS1100A1U
  INA240A1DBVR

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NS10155T4R7NNV参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列NS
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • 类型鼓芯,绕线式
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感4.7 μH
  • 容差±30%
  • 额定电流(安培)6.01 A
  • 电流 - 饱和 (Isat)7.4A
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)13.44 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振33.4MHz
  • 等级AEC-Q200
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 电感频率 - 测试100 kHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳非标准
  • 供应商器件封装-
  • 大小 / 尺寸0.398" 长 x 0.398" 宽(10.10mm x 10.10mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.230"(5.85mm)