时间：2025/4/30 12:21:10
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NRVTSS5100ET3G是一款高性能的ESD（静电放电）保护二极管阵列，主要应用于高速信号线和电源线的瞬态电压抑制。该器件采用超小型封装设计，具备低电容、低泄漏电流和快速响应时间的特点，适合用于保护各种敏感电子设备免受静电放电和其他瞬态电压的损害。
NRVTSS5100ET3G广泛应用于消费类电子产品、通信设备、计算机及其外设等领域，能够有效提升系统的可靠性和稳定性。
工作电压：±12V
峰值脉冲电流：6A
箝位电压：16.8V
电容：0.4pF
漏电流：1nA（最大值，@VR=0V）
响应时间：1ps
封装形式：SOT-23-6
NRVTSS5100ET3G具有以下显著特性：
1. 超低电容设计，确保对高速信号的影响降到最低。
2. 快速响应时间，能够在瞬间对瞬态电压进行有效抑制。
3. 高可靠性，经过严格的测试以确保其在极端环境下的性能稳定。
4. 小型化封装，节省PCB空间，便于在紧凑型设计中使用。
5. 双向保护功能，适用于差分信号线和单端信号线的保护需求。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，满足国际环保法规要求。
NRVTSS5100ET3G可广泛应用于以下领域：
1. USB接口保护，包括USB2.0和USB3.0等高速数据传输接口。
2. HDMI、DP（DisplayPort）、MIPI等视频和音频接口的ESD防护。
3. 移动设备中的天线线路保护。
4. 计算机主板及外设中的关键信号线保护。
5. 工业控制设备中的通信接口防护，如RS-232、RS-485等。
6. 汽车电子系统中的CAN总线、LIN总线等接口保护。
PESD5V0R1BSF, SM712, SP1019
