时间：2025/5/16 14:44:37
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NRVTSA4100ET3G 是一款基于硅材料的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种功率转换和电机驱动等场景。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4.1A
导通电阻(Rds(on))：1.5Ω
总功耗(Ptot)：79W
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220AC
NRVTSA4100ET3G 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达 600V 的漏源电压，适合高电压环境下的应用。
2. 较低的导通电阻 (Rds(on)) 为 1.5Ω，在高电流条件下能有效降低功耗。
3. 快速开关性能，具备较小的输入电容和输出电容，可减少开关损耗。
4. 提供优异的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. TO-220AC 封装提供良好的散热性能，便于集成到功率系统中。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 直流-直流转换器及逆变器电路。
3. 各类电机驱动控制电路。
4. 电池保护及负载切换电路。
5. 工业设备中的高压开关控制。
6. 汽车电子系统的电源管理模块。
IRF840, STP4NS60E
