时间：2025/5/7 17:35:11
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NRVTS10100MFST1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，由 Navitas Semiconductor 公司生产。该器件专为高频、高效能的应用场景设计，例如消费类快充适配器、数据中心电源和工业电源转换系统等。它采用了 GaNFast 技术，能够实现超快速开关和高效率能量转换。
这款晶体管集成了驱动器和保护电路，简化了设计复杂性并提高了可靠性。此外，其小型化的封装形式使得其非常适合对空间敏感的应用场合。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：10A
导通电阻：100mΩ
栅极电荷：45nC
开关频率：2MHz
封装类型：LFPAK88
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
NRVTS10100MFST1G 的主要特点是高效率和高速开关性能。由于使用了氮化镓材料，它的电子迁移率非常高，从而可以支持更高的开关频率，同时降低开关损耗。
该晶体管还具有非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗，尤其是在大电流应用场景中。
另外，内置的驱动器和保护功能进一步增强了其稳定性和易用性，使工程师无需额外增加外围元件即可构建高性能电源解决方案。
最后，其紧凑的封装形式不仅节省了 PCB 空间，还改善了热管理特性。
NRVTS10100MFST1G 适用于多种需要高效功率转换的领域，包括但不限于：
1. USB-C 和 PD 快速充电器
2. 笔记本电脑和手机充电适配器
3. 数据中心服务器电源
4. 电信设备中的 AC/DC 和 DC/DC 转换器
5. 工业电机驱动和逆变器
6. 消费电子产品中的电源管理单元
这些应用都依赖于其卓越的效率和高频工作能力来满足现代电力电子设备的需求。
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GAN041-650WSA
