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IS43LR16160G-6BL-TR 发布时间 时间:2025/9/1 20:02:47 查看 阅读:13

IS43LR16160G-6BL-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能、低功耗的伪静态随机存取存储器(PSRAM)。该芯片具有16Mbit的存储容量,组织结构为1M x 16位。该器件设计用于需要高效存储管理的应用,如便携式设备、网络设备和工业控制系统。IS43LR16160G-6BL-TR 采用先进的CMOS工艺制造,提供高性能和低功耗的特性。

参数

容量:16 Mbit
  组织结构:1M x 16位
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  数据速率:100 MHz
  访问时间:5.4 ns
  封装尺寸:54-TSOP

特性

IS43LR16160G-6BL-TR 具有多种显著特性。首先,它采用低功耗CMOS工艺制造,能够在保持高性能的同时降低功耗,适合用于电池供电设备。其次,该芯片支持自动休眠模式,在没有访问操作时自动进入低功耗状态,进一步延长设备的使用时间。此外,该PSRAM芯片具备高速访问能力,其访问时间仅为5.4 ns,能够满足高速数据处理的需求。IS43LR16160G-6BL-TR 还具有良好的温度适应性,能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作,适用于各种严苛环境。最后,该芯片采用TSOP封装,具有良好的散热性能和可靠性,适合在空间受限的应用中使用。
  该芯片的16位数据总线结构使其适用于需要较大数据吞吐量的应用,例如图像处理、嵌入式系统和网络通信设备。此外,其100 MHz的工作频率支持高速数据存取,提升了系统整体的响应速度。

应用

IS43LR16160G-6BL-TR 主要应用于需要高速缓存和临时数据存储的场景。例如,它可以用于便携式电子产品(如智能手机和平板电脑)中的高速缓存存储,以提升设备的运行效率。此外,该芯片还适用于网络设备(如路由器和交换机)中的数据缓冲区,确保高速数据传输的稳定性。在工业控制系统中,IS43LR16160G-6BL-TR 可用于实时数据存储和处理,提高控制系统的响应速度和稳定性。该芯片也常用于测试设备、医疗仪器和嵌入式系统的存储扩展,以满足不同应用场景的需求。

替代型号

IS43LV16128A-6BL-TR, IS43LV16256A-6BL-TR

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IS43LR16160G-6BL-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥40.18175卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织16M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5.5 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TFBGA(8x10)