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NRVBS3100T3G 发布时间 时间:2025/6/25 11:00:17 查看 阅读:9

NRVBS3100T3G 是一款 NXP 公司生产的硅基肖特基势垒二极管(SBD),属于 NRVBS 系列。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装形式,广泛应用于高频开关电路、逆变器、DC-DC 转换器以及续流保护等场景。NRVBS3100T3G 的主要特点是低正向电压降和快速恢复时间,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。

参数

最大重复反向电压:100V
  最大连续正向电流:3A
  典型正向电压降:0.65V @ 3A
  最大功耗:24W
  结电容:35pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

NRVBS3100T3G 的设计使其具有以下显著特点:
  1. 高效的肖特基势垒结构提供较低的正向电压降,从而降低导通损耗。
  2. 快速恢复特性使得该器件非常适合高频应用环境。
  3. 具备较高的浪涌电流能力,增强其在复杂电路中的可靠性。
  4. 工作温度范围宽广,适应多种工业和汽车级应用需求。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子制造要求。

应用

该器件适用于多种电力电子领域:
  1. 开关电源中的整流与续流保护。
  2. DC-DC 转换器中作为同步整流元件。
  3. 太阳能逆变器和其他能量转换设备中的关键组件。
  4. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
  5. 各类高频信号处理及脉冲电路设计。

替代型号

RB20100T3G, FGA20U10ATM

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NRVBS3100T3G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)100V
  • 电流 - 平均整流 (Io)3A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)790mV @ 3A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50µA @ 100V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AB,SMC
  • 供应商设备封装SMC
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NRVBS3100T3G-NDNRVBS3100T3GOSTR