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GESD12VDL 发布时间 时间:2025/6/3 13:50:55 查看 阅读:4

GESD12VDL是一种瞬态电压抑制器(TVS),用于保护电路免受过电压瞬变的影响。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有快速响应时间、高浪涌能力以及低电容特性,广泛应用于高速数据线和电源线的保护场景。
  其设计旨在吸收大量瞬态电流,同时将箝位电压维持在安全范围内,从而确保后端电路的安全运行。

参数

型号:GESD12VDL
  额定电压:12V
  最大反向漏电流:1μA(@ VRWM = 12V)
  峰值脉冲电流:39A(8/20μs波形)
  箝位电压:17.8V(@ IPP = 39A)
  结电容:4pF(典型值)
  响应时间:≤1ps
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:DO-214AC (SOD-323)

特性

GESD12VDL具备以下主要特性:
  1. 快速响应时间,能够在皮秒级别内对瞬态电压作出反应。
  2. 高浪涌电流能力,能够承受高达39A的峰值脉冲电流。
  3. 低结电容设计,适合高速数据线路保护。
  4. 小型化封装,便于在空间受限的应用中使用。
  5. 宽工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业要求。
  这些特性使得GESD12VDL成为通信设备、消费电子及工业控制领域中的理想保护解决方案。

应用

GESD12VDL适用于以下应用场景:
  1. 高速数据接口保护,例如USB、HDMI、Ethernet等。
  2. 无线通信模块保护,如蓝牙、Wi-Fi、Zigbee等。
  3. 工业自动化设备中的信号线保护。
  4. 汽车电子系统中的瞬态保护。
  5. 电源输入端口的过压保护。
  6. 医疗设备中的敏感信号线路防护。
  GESD12VDL凭借其高性能指标,可有效保障上述应用中的电路稳定性与可靠性。

替代型号

PESD12VB1, SMAJ12A, SMBJ12A