时间：2025/5/12 22:01:25
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NRVB2045MFST1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。这款器件主要设计用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等应用场合。它具有低导通电阻和较高的电流处理能力，能够显著提高效率并减少发热。
该 MOSFET 的最大特点是其较低的 Rds(on) 值（导通电阻），在典型工作条件下可以提供高效的电流传输路径。此外，该器件还具有良好的热性能和电气特性，使其非常适合高功率密度的应用。
最大漏源电压：55V
最大连续漏极电流：45A
导通电阻（Rds(on)）：9.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：118nC（典型值）
总功耗：175W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
1. 高电流承载能力，最大连续漏极电流可达 45A。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高系统效率。
3. 较小的栅极电荷，可实现快速开关操作并减少开关损耗。
4. 提供出色的热性能，能够承受高达 175°C 的结温。
5. 宽工作电压范围，适合多种应用场景。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
7. 稳定性好，能够在恶劣环境下长期运行。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 工业设备中的负载切换和保护功能。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. 各种需要高效功率转换的电子设备中。
IRFP2907, FDP16N50, IXTH40N50L
