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NRVB130LSFT1G 发布时间 时间:2025/5/8 14:41:23 查看 阅读:6

NRVB130LSFT1G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高压整流二极管,采用TO-263封装形式。该二极管主要用于高频和高效率的应用场景,具有低正向电压降和快速恢复时间的特性。这种器件非常适合于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等应用领域。

参数

最大重复峰值反向电压:130V
  平均正向电流:1.0A
  最大浪涌电流:8.0A
  正向电压(IF=1A):1.0V
  反向恢复时间:40ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  存储温度范围:-65℃至+150℃

特性

NRVB130LSFT1G具有以下主要特点:
  1. 采用超快恢复技术,具备极短的反向恢复时间,能够有效减少开关损耗。
  2. 低正向压降确保了较高的系统效率。
  3. 高浪涌电流能力使其能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
  4. 封装形式为TO-263,散热性能良好且易于安装。
  5. 支持高温操作环境,适用于工业级和汽车级应用。

应用

NRVB130LSFT1G广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的整流功能。
  2. DC-DC转换器中用于提升转换效率。
  3. 逆变器电路中的高频整流。
  4. 各种电机驱动器中的续流保护。
  5. 光伏逆变器和其他需要高效能量转换的设备中。

替代型号

MUR120T3G
  MURS120T3
  FR107
  1N5822

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NRVB130LSFT1G参数

  • 现有数量5现货
  • 价格1 : ¥4.13000剪切带(CT)3,000 : ¥1.17492卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)30 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)380 mV @ 1 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1 mA @ 30 V
  • 不同?Vr、F 时电容-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商器件封装SOD-123FL
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 125°C