NRS5040T330MMGJ 时间：2025/12/27 9:34:55 阅读：11

NRS5040T330MMGJ是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装整流器阵列，采用先进的半导体技术制造，专为高密度、高性能电源应用而设计。该器件属于Vishay的NRS系列，这是一系列高效、紧凑型肖特基势垒二极管阵列，广泛应用于需要低正向电压降和快速开关特性的电路中。NRS5040T330MMGJ的具体配置为双二极管共阴极结构（Common Cathode Configuration），即两个独立的肖特基二极管共享一个公共的阴极端子，这种结构常用于全波整流或双路DC-DC转换拓扑中。该器件采用SMA（DO-214AC）封装，具有较小的占板面积，适合空间受限的应用场景，如便携式电子设备、通信模块和工业控制板等。由于其低功耗特性，该器件在轻载和满载条件下均能保持较高的能效表现，有助于延长电池供电设备的工作时间并减少系统热管理负担。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的温度稳定性和长期可靠性，能够在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，适用于严苛环境下的工业与汽车级应用。

参数

类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：40 V
　　平均整流电流（IO）：5.0 A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：150 A
　　最大正向电压（VF）：0.58 V @ 5 A, TJ = 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.5 mA @ 40 V, TJ = 25°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值 < 5 ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SMA (DO-214AC)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　热阻（RθJA）：约 50 °C/W（依PCB布局而定）
　　极性标记：阴极为条带端

特性

NRS5040T330MMGJ的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，该技术利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低正向导通压降（VF）。在5A电流下，其最大VF仅为0.58V，相比传统快恢复二极管可减少高达30%的导通损耗，这对提高电源效率至关重要，尤其是在低压大电流输出的DC-DC变换器中效果尤为明显。此外，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间（trr）极短，通常小于5ns，几乎无反向恢复电荷（Qrr），这极大地减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），使该器件非常适合高频开关电源应用，例如同步整流、开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器以及OR-ing二极管电路。
　　该器件的双共阴极结构设计提供了灵活的电路集成能力，可用于构建中心抽头变压器全波整流电路或作为两个独立的续流/箝位二极管使用。SMA封装不仅体积小巧（典型尺寸约为4.3mm x 2.6mm x 2.2mm），而且具有良好的热传导性能，通过优化PCB焊盘设计可有效将热量从芯片传递至电路板，提升整体散热能力。器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环试验，确保在恶劣工作环境下仍能保持稳定性能。此外，其低寄生电感和电容特性有助于抑制高频噪声，进一步增强系统的电磁兼容性。产品还具备较强的抗潮湿能力，符合MSL-1等级要求，适用于无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子制造的需求。

应用

NRS5040T330MMGJ广泛应用于各类对效率和空间有严格要求的电源系统中。典型应用场景包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的DC-DC电源模块，其中作为次级侧同步整流或输出整流元件，帮助实现高效率能量转换。在通信设备如路由器、交换机和基站电源单元中，该器件用于隔离式电源的副边整流，支持高频运行以缩小磁性元件体积。工业自动化控制系统中的PLC模块、传感器供电电路也常采用此类低VF肖特基二极管以降低功耗和发热。此外，在LED照明驱动电源、USB PD充电器、便携式医疗设备及汽车信息娱乐系统中，NRS5040T330MMGJ凭借其高可靠性和紧凑封装成为理想的整流解决方案。由于其具备较高的浪涌电流承受能力（150A），也可用于瞬态负载或启动电流较大的场合，提供稳定的电流路径。在冗余电源系统中，该器件可用作OR-ing二极管，防止电源倒灌并实现无缝电源切换。总之，凡是需要高效、小型化、快速响应的整流功能的电子系统，均可考虑采用此型号进行设计优化。