时间：2025/8/9 17:12:35
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YG862C06R 是一款由国内厂商生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等功率控制领域。该器件采用TO-252（DPAK）封装，具有较低的导通电阻、较快的开关速度和良好的热性能，适用于中高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：≤6.2mΩ（典型值）
功耗（PD）：120W
封装形式：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
YG862C06R MOSFET具备优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式工艺，确保了良好的热稳定性和高电流承载能力。
此外，其TO-252封装具有良好的散热性能，适用于紧凑型电源设计。该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和过载承受能力，提高了器件在恶劣工作环境下的可靠性。
在驱动能力方面，YG862C06R能够快速开关，减少了开关损耗，适用于高频开关电源和同步整流应用。其栅极驱动电压范围宽泛，兼容标准逻辑电平驱动，方便与各种控制IC配合使用。
综合来看，YG862C06R是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种电源管理和功率控制场景。
YG862C06R广泛应用于各类电源设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、电源适配器以及工业自动化控制系统等。由于其高效率和高可靠性的特点，该器件也适用于需要高功率密度和高效能转换的电子设备中。
SiR862DP-T1-GE3, IRF1404, AUIRF1404, IPD60R065CPA, YG862A06R
