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YG862C06R 发布时间 时间:2025/8/9 17:12:35 查看 阅读:20

YG862C06R 是一款由国内厂商生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等功率控制领域。该器件采用TO-252(DPAK)封装,具有较低的导通电阻、较快的开关速度和良好的热性能,适用于中高功率应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):60A
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):≤6.2mΩ(典型值)
  功耗(PD):120W
  封装形式:TO-252(DPAK)
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

YG862C06R MOSFET具备优异的导通性能和开关特性,其低导通电阻(RDS(on))能够显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式工艺,确保了良好的热稳定性和高电流承载能力。
  此外,其TO-252封装具有良好的散热性能,适用于紧凑型电源设计。该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和过载承受能力,提高了器件在恶劣工作环境下的可靠性。
  在驱动能力方面,YG862C06R能够快速开关,减少了开关损耗,适用于高频开关电源和同步整流应用。其栅极驱动电压范围宽泛,兼容标准逻辑电平驱动,方便与各种控制IC配合使用。
  综合来看,YG862C06R是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,适用于多种电源管理和功率控制场景。

应用

YG862C06R广泛应用于各类电源设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、电源适配器以及工业自动化控制系统等。由于其高效率和高可靠性的特点,该器件也适用于需要高功率密度和高效能转换的电子设备中。

替代型号

SiR862DP-T1-GE3, IRF1404, AUIRF1404, IPD60R065CPA, YG862A06R

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