时间：2025/12/28 16:35:43
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NRC10J201TR 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和良好的热性能，能够在高频率下工作，适用于高效能、紧凑型电源设计。其封装形式为 SOT-223，适合表面贴装，便于自动化生产。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：7.5A
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（典型值）
功耗（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SOT-223
NRC10J201TR 采用先进的沟槽式结构设计，使其在相同电压和电流等级下具备更低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在高压尖峰环境下的稳定性和可靠性。其 SOT-223 封装不仅提供了良好的散热性能，同时也便于 PCB 布局和焊接。
该器件在栅极驱动方面表现出良好的响应特性，适用于高频开关应用。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高整体能效。同时，该器件具有良好的温度稳定性，在高负载和高温环境下仍能保持稳定的性能表现。
NRC10J201TR 还具备较强的短路和过流保护能力，在电源管理、电机控制和 DC-DC 转换器等应用中表现出良好的耐用性和稳定性。其封装材料符合 RoHS 环保标准，适用于环保要求较高的工业和消费类电子产品。
NRC10J201TR 主要用于各类电源管理系统，如同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动电路。由于其具备较高的电流承载能力和良好的热性能，该器件也常用于汽车电子、工业控制、便携式设备和智能家电等领域的功率控制模块。此外，该 MOSFET 在 LED 驱动、电源适配器和 UPS（不间断电源）等应用中也具有广泛的应用价值。
NDS355AN, FQP10N20C, IRFS4321PbF
