NPT35015D 时间：2025/9/16 16:55:00 阅读：14

NPT35015D 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高功率开关应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力。其采用了先进的沟槽技术，确保了在高频率开关条件下的性能稳定性。NPT35015D 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关以及电池供电系统等应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：15A
　　最大漏源电压 (Vds)：35V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 0.026Ω（在 Vgs = 10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220
　　安装方式：通孔（Through Hole）

特性

NPT35015D MOSFET 具备多项关键特性，适用于高性能功率转换系统。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于需要高能效的电源转换器和电池管理系统。其次，该器件的最大漏极电流可达 15A，具备良好的电流处理能力，可满足高功率负载的需求。
　　此外，NPT35015D 的最大漏源电压为 35V，适合用于中等电压范围的电源系统，如 DC-DC 转换器、负载开关和马达驱动电路。其栅源电压耐受能力为 ±20V，增强了在复杂驱动条件下的可靠性。
　　该器件采用 TO-220 封装，具备良好的热管理能力，适用于需要良好散热性能的应用环境。TO-220 封装也便于安装在散热片上，以提升散热效率。NPT35015D 还具有高雪崩能量耐受能力，提升了器件在极端工作条件下的稳定性和耐用性。
　　值得一提的是，NPT35015D 支持高频开关操作，适用于现代高效能、高频率的开关电源（SMPS）和同步整流电路。其快速开关特性有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高系统整体的功率密度。

应用

NPT35015D 广泛应用于多种电源管理与功率控制领域。首先，在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为主开关或同步整流器使用，提供高效的能量转换。其次，在电池管理系统中，NPT35015D 可用于控制充放电路径，确保系统的安全性和稳定性。此外，在电机驱动电路中，该器件可用于 PWM 控制，实现对电机速度和扭矩的精确调节。
　　该 MOSFET 同样适用于负载开关、电源分配系统以及高边/低边开关应用。在工业自动化和嵌入式系统中，NPT35015D 可用于控制各种高功率负载，如加热元件、LED 照明阵列和风扇电机。其高可靠性和优异的热性能使其在高温环境下仍能稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源适配器中，NPT35015D 也常用于实现高效的电源管理方案。其高效率和小尺寸特性，有助于设计更紧凑、更节能的电源模块。