类型：低噪声放大器（LNA）
　　工艺技术：GaAs HBT
　　工作频率范围：10 MHz 至 4 GHz
　　增益：约 18 dB（典型值）
　　噪声系数：约 0.6 dB（典型值）@ 2 GHz
　　输出IP3：约 30 dBm（典型值）
　　工作电压：5 V
　　工作电流：约 120 mA
　　封装类型：SOT-89
　　输入/输出阻抗：50 欧姆
　　温度范围：-40°C 至 +85°C

ATF-36377-STR 具备多项优异的电气和物理特性，使其成为高性能射频系统中的理想选择。
　　首先，该器件采用 GaAs HBT 工艺制造，具有较高的可靠性、良好的线性度以及出色的温度稳定性。这种工艺使得芯片在高频工作下仍能保持稳定的性能，尤其在 4 GHz 频段内表现优异。
　　其次，ATF-36377-STR 提供了高达 18 dB 的典型增益，适用于需要高增益但对噪声要求同样严格的前端放大应用。其噪声系数低至 0.6 dB，在 2 GHz 频段下表现出色，这使得它在需要高灵敏度的接收系统中非常有用。
　　此外，该放大器具有良好的线性性能，输出三阶交调点（OIP3）可达 30 dBm，这意味着它可以在较高的输出功率下保持信号的完整性，减少失真。这使得 ATF-36377-STR 不仅适用于低噪声放大，也可以作为中功率放大器使用。
　　ATF-36377-STR 的输入和输出端口均设计为 50 欧姆匹配，简化了与射频前端电路的连接，降低了设计复杂度。它的工作电压为 5V，工作电流约为 120 mA，属于中等功耗水平，适用于多种电源供电条件。
　　封装方面，该芯片采用 SOT-89 小型封装，便于集成到各种 PCB 设计中，并具有良好的热管理和机械稳定性。

ATF-36377-STR 广泛应用于各种高性能射频和微波系统中。常见应用包括无线基站、微波通信设备、测试与测量仪器、宽带放大器、CATV 系统、GPS 接收器以及其它需要高线性度、低噪声和宽频带响应的射频前端电路。由于其出色的增益和噪声性能，它也常用于卫星通信和雷达系统中的低噪声放大器设计。

ATF-36163, ATF-36187, HMC414, BGA2707