类型：双肖特基势垒二极管
　　配置：双共阴极（Common Cathode）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：150V
　　平均整流电流（IO）：20A（在TC=125°C时）
　　正向压降（VF）：典型值1.0V，最大值1.3V（在IF=20A, TJ=125°C时）
　　非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A（半正弦波，8.3ms）
　　反向漏电流（IR）：最大5.0mA（在VR=150V, TJ=125°C时）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB
　　安装方式：通孔安装（Through Hole）
　　散热特性：需外接散热器以保证长期可靠运行
　　热阻（RθJC）：约1.0°C/W（典型值）

MBR20150CT-LJ的核心优势在于其低正向导通压降与高电流处理能力的结合，这使得它在大功率电源系统中表现出色。在20A的工作电流下，其典型正向压降仅为1.0V，显著低于传统快恢复二极管，从而大幅降低导通损耗，提高电源转换效率。这种低VF特性对于需要持续高负载运行的应用尤为重要，例如服务器电源或工业电源模块，能够有效减少发热，延长系统寿命。
　　该器件采用肖特基势垒结构，因此几乎不存在反向恢复时间（trr），通常小于25ns，这意味着在高频开关环境下不会产生明显的反向恢复电流尖峰，减少了电磁干扰（EMI）和开关器件的应力，有助于提升整个电源系统的稳定性和可靠性。这对于工作频率在几十kHz到数百kHz范围内的开关电源（SMPS）和DC-DC变换器来说是一个关键优势。
　　MBR20150CT-LJ具备高达200A的非重复浪涌电流承受能力，能够在电源启动或负载突变时有效抵御瞬态过流冲击，增强了系统的鲁棒性。此外，其宽泛的工作结温范围（-65°C至+175°C）使其可在极端环境温度下稳定运行，适用于工业控制、通信设备及汽车电子等严苛应用场景。
　　TO-220AB封装具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热片上实现高效热管理。虽然该封装为通孔型，但在现代PCB布局中依然广泛使用，尤其适合高功率密度设计。器件还具备优良的抗热疲劳性能，确保在反复热循环中保持电气连接的可靠性。

MBR20150CT-LJ广泛应用于各类中高功率电源系统中，尤其是在需要高效整流和低损耗表现的场合。典型应用包括AC-DC开关电源中的次级整流电路，特别是在输出电压较低（如5V、3.3V、1.8V）而电流较大的情况下，其低正向压降特性可以显著提升效率。该器件也常用于隔离式DC-DC转换器中作为同步整流的替代方案，尤其在未采用MOSFET同步整流的设计中，仍能提供优异的整流性能。
　　在电信整流器、服务器电源、UPS不间断电源和工业电源模块中，MBR20150CT-LJ因其高电流承载能力和良好的热稳定性而被广泛采用。此外，它也可用于电池充电系统、太阳能逆变器和电机驱动电路中的续流与保护功能，起到防止感性负载反电动势损坏主开关器件的作用。
　　由于其双共阴极结构，该器件非常适合用于带中心抽头变压器的全波整流拓扑，这类结构在低成本、中等功率的电源设计中非常常见。相比使用两个独立的肖特基二极管，集成在一个封装内的双二极管方案不仅节省PCB空间，还能简化装配流程，提高生产效率。同时，该器件在汽车电子辅助电源系统中也有潜在应用，前提是配合适当的热设计以应对高温环境。

SR20150CT-DIO
　　STPS20L150CT
　　VS-20CPQ150