类型：IGBT模块
　　额定集电极电流（Ic）：170A
　　额定集电极-发射极电压（Vce）：1200V
　　封装类型：双列直插式封装（Dual-in-line Package, DIP）
　　配置：H桥（Full Bridge）
　　安装方式：螺钉安装
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　短路耐受能力：有
　　热阻（Rth）：根据散热条件不同而变化
　　封装尺寸：根据具体型号和制造商有所不同

GT17HN2-4DP-2H(A)(57)具有多种关键特性，使其适用于高功率工业应用。首先，该模块采用先进的IGBT技术，具有低导通压降和开关损耗，从而提高了整体效率并降低了发热。IGBT的短路耐受能力也增强了模块在极端工况下的可靠性。此外，该模块的H桥配置允许双向电流流动，非常适合用于电机控制和逆变器应用。
　　在封装方面，该模块采用了双列直插式封装（DIP），便于安装和维护，同时确保了良好的散热性能。模块内部的优化布局减少了电磁干扰（EMI），提高了系统的稳定性。该模块还具有良好的绝缘性能，能够承受较高的工作电压，确保在高压应用中的安全性。
　　另一个重要特性是其广泛的温度适应能力，能够在-40°C至+150°C的环境下稳定运行，适合在各种工业环境中使用。模块还配备了热保护功能，防止因过热而导致的损坏。这些设计特点使得GT17HN2-4DP-2H(A)(57)成为高要求工业应用的理想选择。

GT17HN2-4DP-2H(A)(57)常用于需要高效功率控制的工业系统中。其主要应用包括交流变频器、伺服驱动器、电梯控制系统、工业自动化设备以及可再生能源系统如太阳能逆变器和风力发电变流器。此外，它还可用于电动汽车充电设备、UPS（不间断电源）系统以及智能电网设备。该模块的高可靠性和高效能使其在高性能电力电子系统中具有广泛的应用前景。

CM17GD120H0C24A, ABB的ACSPLD17-1200-01, Infineon的FS17R12W1H01B6DV, Semikron的SKM170GB12T4