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NP90N03VLG 发布时间 时间:2025/7/16 14:46:10 查看 阅读:9

NP90N03VLG是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率管理应用。该器件采用N沟道增强型技术,能够提供低导通电阻和高电流处理能力,适用于各种工业、汽车和消费电子领域。其封装形式为TO-252(DPAK),具有良好的散热性能和紧凑的设计。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):90A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ
  总功耗(Ptot):115W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  工作温度范围(Ta):-55℃至+125℃

特性

NP90N03VLG具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 高电流承载能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关速度,可有效降低开关损耗。
  4. 强大的热稳定性,确保在极端温度条件下可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 采用DPAK封装,便于安装和散热管理。

应用

NP90N03VLG广泛应用于各类电力电子系统中,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
  2. DC/DC转换器及稳压电路。
  3. 汽车电子系统,如电机驱动和负载切换。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
  6. LED照明驱动器和家用电器的功率管理单元。

替代型号

IRFZ44N
  STP90NF03L
  FDP90N03L

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