时间：2025/6/17 9:58:00
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NP5N10MR-N-G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，属于增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)。该器件适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动器、无线充电和功率因数校正 (PFC) 等领域。与传统的硅基 MOSFET 相比，NP5N10MR-N-G 提供更低的导通电阻和更快的开关速度，从而显著提高了功率转换效率并减小了系统尺寸。
该器件采用先进的封装技术，具有卓越的热性能和电气性能，同时其坚固的设计确保了在各种工业环境下的可靠运行。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：10mΩ
连续漏极电流(Id)：40A
栅极电荷(Qg)：80nC
开关频率：高达5MHz
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247-3
NP5N10MR-N-G 具有以下关键特性：
1. 高击穿电压：支持高达600V的工作电压，适用于高压应用场景。
2. 极低导通电阻：仅10mΩ的Rds(on)，显著降低传导损耗。
3. 快速开关性能：开关频率可高达5MHz，减少磁性元件体积，提高功率密度。
4. 高效散热：采用TO-247-3封装，优化了热传导路径，提升了系统的散热能力。
5. 高可靠性：经过严格的测试流程，确保在恶劣环境下依然保持稳定运行。
6. 减少电磁干扰：通过优化栅极驱动设计，降低了开关过程中的电磁干扰问题。
7. 宽工作温度范围：从-55°C到+175°C，满足极端环境下的应用需求。
NP5N10MR-N-G 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源：包括不间断电源(UPS)、服务器电源和通信电源等。
2. 汽车电子：电动汽车车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和逆变器。
3. 消费类电子产品：快充适配器、无线充电设备。
4. 可再生能源：太阳能逆变器和储能系统。
5. 电机驱动：高性能伺服驱动和机器人控制。
6. 高频功率转换：D类音频放大器和高效DC-DC转换模块。
NP5N10MR-N-D, NP5N10MR-N-S
