时间：2025/7/11 20:15:07
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NP55N055SUG-E1-AY 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，专为高频开关应用而设计。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于各种电源管理场景。
其封装形式为 SOT-23-6，非常适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：55V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻（Rds(on)）：80mΩ
栅极电荷：7nC
总电容（Ciss）：390pF
开关频率：支持高达 2MHz 的开关频率
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
NP55N055SUG-E1-AY 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，使其适合高频 PWM 控制器及 DC-DC 转换器。
3. 强大的抗雪崩能力，能够承受瞬时过载条件。
4. 热稳定性好，能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 小巧的封装尺寸降低了 PCB 面积占用，同时保持了优秀的电气性能。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电池管理系统的充放电控制。
3. LED 驱动电路中的电流调节。
4. 电机驱动与逆变器。
5. 便携式电子设备中的负载开关。
6. 各类保护电路，如过流保护和短路保护。
NP55N055SUG-E1-AZ, IRF540N, FDN340P
