RF1658SR是一款由Renesas Electronics制造的高性能射频(RF)功率晶体管,专为高频率和高功率应用而设计。该器件采用先进的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术制造,适用于通信设备、工业控制、广播系统以及测试仪器等需要高效射频功率放大的领域。RF1658SR具有高增益、低失真和良好的热稳定性的特点,能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。
类型:射频功率晶体管
工艺:LDMOS
工作频率范围:2 GHz - 2.7 GHz
输出功率:125 W(典型值)
增益:18 dB(最小值)
效率:40%(典型值)
输入阻抗:50Ω
工作电压:28 V
封装类型:TO-247
RF1658SR的核心特性之一是其高输出功率能力,能够在2 GHz至2.7 GHz的频率范围内提供高达125 W的连续波(CW)输出功率,适用于多种无线通信标准,如Wi-Fi、WiMAX和蜂窝网络等。该器件具有高增益和高效率的特点,能够显著提升射频放大器的整体性能。其增益在工作频率范围内保持在18 dB以上,同时具有良好的线性度,有助于减少信号失真。
此外,RF1658SR采用了Renesas先进的LDMOS技术,确保了器件在高温和高负载条件下的稳定性和可靠性。该晶体管的热阻较低,能够在长时间运行时保持较低的温度上升,从而延长使用寿命并减少维护需求。其封装设计为TO-247,便于散热和安装,并且支持多种冷却方式,如风冷或水冷。
RF1658SR广泛应用于无线通信基础设施,如基站、广播发射机和测试设备。它特别适用于需要高功率、高效率和高稳定性的场合,例如WiMAX基站、Wi-Fi接入点、DVB-T(数字视频广播)发射器和工业射频加热设备。由于其宽频率范围和高功率输出能力,该器件也常用于各种射频测试和测量设备,如信号发生器和功率放大器模块。在广播系统中,RF1658SR可用于数字音频广播(DAB)和地面数字电视(DTT)发射机,提供稳定的高功率输出以确保信号覆盖范围和质量。此外,该晶体管还可用于军事通信和航空电子设备中,满足高性能和高可靠性的要求。
RF1658SR的替代型号包括RF1658S、RF1657SR、NXP的BLF881和STMicroelectronics的STAC2610S-DSHF1。