NP55N055SDG 时间：2025/6/9 18:36:36 阅读：3

NP55N055SDG是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他功率转换应用中。
　　该器件采用了TO-263封装形式，具备较高的电流承载能力和散热性能，非常适合需要高效能和低损耗的应用场景。

参数

型号：NP55N055SDG
　　封装：TO-263
　　漏源电压(Vds)：55V
　　连续漏极电流(Id)：55A
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2.1V~4.0V
　　导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ(典型值，在Vgs=10V时)
　　总功耗(Ptot)：190W
　　工作温度范围：-55℃~175℃

特性

NP55N055SDG具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少导通损耗并提高效率。
　　2. 高电流处理能力，适合大功率应用。
　　3. 快速开关性能，可有效降低开关损耗。
　　4. 良好的热稳定性和可靠性，确保在高温环境下的稳定运行。
　　5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
　　6. 提供优异的电气性能和耐用性，适用于工业级和汽车级应用。

应用

NP55N055SDG被广泛用于各种高功率电子设备中，包括但不限于：
　　1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
　　2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)中的同步整流元件。
　　3. 各类电机驱动电路，如无刷直流电机(BLDC)控制。
　　4. 工业自动化系统中的负载开关和保护电路。
　　5. 汽车电子领域，例如电池管理系统(BMS)和车载充电器(OBC)。
　　6. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品中的功率转换模块。