时间：2025/7/1 19:49:39
阅读：7
NP55N04SUG-E1-AY 是一款 N 沱场效应晶体管（MOSFET），属于功率半导体器件。该型号具有高电流驱动能力和低导通电阻特性，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。
此器件采用 SOT223 封装形式，具备出色的散热性能，适用于需要高效能和稳定性的工业及消费类电子应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：55A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：78nC
总耗散功率：160W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：SOT223
NP55N04SUG-E1-AY 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力，能够支持大功率应用场景。
3. 快速开关速度，适合高频开关应用。
4. 良好的热性能，确保在高负载条件下也能保持稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品需求。
6. 紧凑的封装设计节省了 PCB 布局空间。
该 MOSFET 可用于多种电力电子设备中，例如直流-直流转换器、开关模式电源（SMPS）、电机控制器、电池保护电路以及 LED 驱动器等。此外，它也适用于工业自动化领域中的各种功率控制场合，如变频器和逆变器。
由于其优秀的电气特性和可靠性，NP55N04SUG-E1-AY 成为许多高性能功率系统设计的理想选择。
IRLB8729PBF
SI4876DY
FDP55N06L
