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PM40TN-H 发布时间 时间:2025/9/28 11:07:47 查看 阅读:4

PM40TN-H是一款由Powerex(现为富士电机子公司)生产的高功率半导体模块,属于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块系列。该模块专为工业驱动、电源转换和电机控制等高功率应用设计,具备出色的热稳定性和电气性能。PM40TN-H采用标准的六单元全桥IGBT配置,内部集成了多个IGBT芯片与反并联快速恢复二极管,适用于三相逆变器拓扑结构。该模块支持较高的开关频率,在保证效率的同时降低了系统对滤波元件的要求,有助于减小整体系统体积。其封装形式为带底部绝缘的扁平式模块(Flat Pack),具有良好的散热性能和机械稳定性,适合风冷或水冷散热系统使用。模块外壳绝缘耐压高,便于安装于散热器上而无需额外的绝缘垫片,提升了系统的可靠性与维护便利性。

参数

型号:PM40TN-H
  器件类型:IGBT模块(六单元全桥)
  集电极电流(Ic):40 A(连续)
  集电极峰值电流(Icp):80 A
  集射极击穿电压(Vces):1200 V
  栅极阈值电压(Vge(th)):约5.0 V
  饱和导通电压(Vce(sat) @ Ic=40A, Vge=15V):约2.0 V
  反向恢复二极管正向压降(Vf):约2.2 V
  工作结温范围(Tj):-40°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-40°C 至 +125°C
  隔离电压(Visolation):2500 VAC(1分钟)
  封装类型:扁平封装(Flat Pack)
  安装方式:螺钉固定于散热器
  热阻(Rth(j-c)):约0.35 °C/W(典型)

特性

PM40TN-H模块具备优异的动态与静态电气特性,其内部采用先进的沟道型IGBT技术,能够在高电压和大电流条件下实现低导通损耗和快速开关响应。IGBT芯片经过优化设计,有效抑制了拖尾电流,从而显著降低开关过程中的能量损耗,提升整体系统效率。模块内置的快速恢复二极管具有低反向恢复电荷(Qrr)和软恢复特性,减少了换流过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI),增强了系统在高频运行下的稳定性。
  该模块采用直接键合铜(DBC)基板技术,提高了热传导效率并增强了热循环耐久性,适用于长期高负载运行环境。其扁平封装结构不仅降低了热阻,还提升了模块与散热器之间的接触面积,确保热量高效传递。此外,模块引脚布局合理,便于母线排或铜条连接,减少寄生电感,提高功率回路的稳定性。
  PM40TN-H具备高绝缘强度和抗湿热能力,适用于恶劣工业环境。其材料符合RoHS环保要求,并通过了多项国际安全认证,适用于全球范围内的工业设备设计。模块还具备良好的短路耐受能力,在规定的保护时间内可承受数倍额定电流的短路冲击,配合外部驱动保护电路可实现可靠的故障保护机制。

应用

PM40TN-H广泛应用于中高功率电力电子系统中,典型用途包括通用交流伺服驱动器、工业变频器、UPS不间断电源、感应加热设备、焊接电源以及太阳能逆变器等。在三相电机驱动系统中,该模块作为主逆变桥使用,能够高效地将直流电转换为可控的三相交流电,实现精确的转矩与速度控制。
  在新能源领域,PM40TN-H可用于光伏并网逆变器的DC-AC转换级,其高耐压和高效率特性有助于提升发电系统的整体能效。在工业电源应用中,如大功率开关电源和电镀电源,该模块可用于整流与逆变环节,提供稳定的高功率输出。
  此外,该模块也适用于电动汽车充电桩、储能系统等新兴领域,特别是在需要高可靠性和长寿命的场合表现出色。由于其良好的热管理和电气性能,PM40TN-H特别适合用于密闭或高温环境中运行的设备,是工业自动化和能源转换系统中的关键功率器件。

替代型号

PM600HSA120

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