时间：2025/6/7 14:32:10
阅读：27
NP50P06SDG 是一款 N 沱半导体生产的 P 沟道功率场效应晶体管（Power MOSFET）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性。其主要应用于电源管理电路、DC-DC 转换器、负载开关以及电池保护等领域。
NP50P06SDG 通过优化设计，降低了功耗并提高了效率，同时具备良好的热稳定性和电气性能。这款 MOSFET 的封装形式为 SOT23-3L，非常适合需要小型化和高性能的电子设备。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：-4.8A
导通电阻：150mΩ（典型值）
栅极电荷：7nC（典型值）
开关时间：t(on)=15ns, t(off)=20ns（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻确保在高电流应用中减少功耗。
2. 快速的开关速度能够支持高频操作，适合现代高效能转换电路。
3. 小型 SOT23-3L 封装，有助于实现更紧凑的设计。
4. 高度可靠的性能，在极端环境温度下仍能保持稳定的运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的高端或低端开关。
3. 便携式电子设备中的负载开关。
4. 电池供电系统的过流保护与反向电池保护。
5. 各类工业控制和消费类电子产品中的电源管理模块。
IRF7409, FDP5800
