NP50P04SDG 时间：2025/6/20 14:16:53 阅读：5

NP50P04SDG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
　　这款 MOSFET 的额定电压为 50V，适用于低压应用场合，并且由于其优良的电气特性，可以显著提高系统的效率和可靠性。

参数

最大漏源电压：50V
　　连续漏极电流：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ
　　栅极阈值电压：1.2V~3.0V
　　输入电容：970pF
　　总功耗：1.6W
　　工作温度范围：-55℃~175℃

特性

NP50P04SDG 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提升系统效率。
　　2. 高速开关能力，能够满足高频应用需求。
　　3. 栅极电荷小，驱动简单且效率高。
　　4. 强大的雪崩击穿能力和 ESD 防护性能，提高了器件的鲁棒性。
　　5. 小型封装设计，便于在紧凑的空间内实现高性能解决方案。
　　6. 支持宽范围的工作温度，适应多种环境条件。

应用

NP50P04SDG 可以应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 各类电池管理系统 (BMS) 中的负载控制和保护电路。
　　3. 消费电子设备中的高效能转换模块。
　　4. 工业自动化领域的电机驱动和电磁阀控制。
　　5. 通信电源和分布式电源架构中的关键组件。
　　6. 照明驱动电路，如 LED 灯具的驱动方案。