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NP32N055I 发布时间 时间:2025/6/7 14:31:32 查看 阅读:5

NP32N055I是一种高性能的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于各种电力电子应用场合。其封装形式通常为TO-220或TO-252,便于散热管理,并能在高频开关条件下保持稳定的性能。
  该MOSFET主要应用于电源管理、电机驱动、逆变器、DC-DC转换器等领域,凭借其优异的电气特性,可有效提升系统的效率与可靠性。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:32A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关时间:开通延迟时间16ns,关断延迟时间29ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

NP32N055I的核心优势在于其低导通电阻设计,能够显著减少功率损耗并提高系统效率。此外,它还具备快速的开关能力,使得其非常适合高频应用。在动态性能方面,较低的栅极电荷减少了驱动功耗,进一步优化了整体表现。
  此器件还拥有出色的热稳定性,即使在极端温度环境下也能维持正常运行。其坚固的结构和耐压能力确保了在高压条件下的可靠操作,同时其短路耐受能力也使其成为许多工业级应用的理想选择。

应用

1. 开关电源(SMPS)设计中的同步整流功能;
  2. 电动工具及家用电器中的电机控制;
  3. 新能源汽车中的DC-DC转换模块;
  4. 太阳能逆变器中的功率调节电路;驱动器中的功率管理单元。
  由于其大电流承载能力和稳健的性能,该MOSFET特别适合需要高功率密度的设计方案。

替代型号

IRFZ44N
  STP32NF05L
  FDP18N05S

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