时间：2025/5/29 0:38:36
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NP2N7002VR-G 是一款增强型 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），专为低导通电阻和高效率开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有卓越的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子设备中的高效能转换和控制场景。
该型号继承了 N 沟道 MOSFET 的典型特性，如快速开关速度、低导通损耗等，同时优化了热特性和封装形式以适应高密度电路设计需求。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：3.1A
导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω（典型值，Vgs=10V）
输入电容：490pF
功耗：1.8W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
NP2N7002VR-G 具有以下显著特点：
1. 高效开关能力，支持高频操作。
2. 极低的导通电阻，减少能量损耗。
3. 良好的温度稳定性，在极端条件下依然保持可靠性能。
4. 小型化封装设计，适合紧凑型电路布局。
5. 内置反向二极管，简化驱动电路设计并提高系统效率。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
NP2N7002VR-G 广泛应用于各种需要高性能开关或功率管理的领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 直流电机驱动与控制。
3. LED 照明驱动电路。
4. 电池保护及充放电管理。
5. 工业自动化设备中的信号切换与负载控制。
6. 各类消费类电子产品中的功率调节模块。
N7002, BSS123, AO3400
