时间：2025/6/3 11:07:48
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NP15N10G-G 是一款基于硅材料制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用。其设计优化了在高频开关条件下的表现，适合于电源适配器、DC-DC 转换器、电池充电器以及其他需要高效功率管理的场景。
NP15N10G-G 的封装形式通常为 DPAK 或 TO-252，这使得它能够有效散热并适应紧凑的设计需求。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：9mΩ
栅极电荷（典型值）：35nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DPAK (TO-252)
NP15N10G-G 的主要特点是低导通电阻，这对于降低传导损耗至关重要。此外，它的栅极电荷较小，有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗。
该器件还具备良好的热稳定性和鲁棒性，能承受较高的结温，确保在恶劣环境下的可靠运行。同时，其小型化封装使其非常适合空间受限的应用场景。
另外，NP15N10G-G 提供了较强的抗雪崩能力，在异常条件下可以保护电路免受损坏。
NP15N10G-G 广泛应用于各种需要高效功率转换的领域，包括但不限于以下场景：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电机驱动
- 太阳能逆变器
- 电池管理系统（BMS）
- LED 驱动器
由于其低导通电阻和高效率，这款 MOSFET 特别适合对能源效率要求较高的设备。
IRFZ44N, FDP15U20AN, AO3400
