电容值：47pF
　　额定电压：50VDC
　　温度系数/介质材料：NP0（C0G）
　　电容公差：±20%
　　封装尺寸：0603（1.6mm x 0.8mm）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　厚度：约0.95mm
　　端接类型：镍障/锡（Ni/Sn）
　　绝缘电阻：≥10^11 Ω 或 R × C ≥ 10000 MΩ·μF
　　耐电压：1.5倍额定电压，100秒内无击穿或飞弧
　　Q值：在1MHz下典型值大于1000
　　自谐振频率（SRF）：典型值约为1.2GHz
　　ESR（等效串联电阻）：在100MHz下小于1Ω

NP06DB470M所采用的NP0（C0G）陶瓷介质赋予其卓越的电气稳定性和温度不变性，这是其最显著的技术优势之一。NP0是一种超稳定的Ⅰ类陶瓷材料，其电容值在整个工作温度范围（-55°C至+125°C）内的变化不超过±30ppm/°C，确保了在极端环境条件下仍能维持精确的电容特性。这一特性使得该电容器非常适合用于高频谐振电路、LC滤波网络、射频匹配电路以及需要长期稳定运行的精密模拟系统。此外，由于其几乎为零的电容偏压效应，在施加直流偏置电压时电容值不会发生明显下降，这与X7R、Y5V等Ⅱ类陶瓷电容形成鲜明对比。
　　该器件具有低损耗特性，表现为非常高的品质因数（Q值），在1MHz测试频率下Q值可超过1000，这意味着能量损耗极小，适用于高效率、低噪声的设计场景。同时，其等效串联电阻（ESR）极低，在高频应用中能够有效减少发热并提升系统效率。自谐振频率（SRF）高达约1.2GHz，使其在GHz以下频段均保持良好的电容行为，避免进入感性区影响电路性能。
　　机械结构方面，NP06DB470M采用多层陶瓷堆叠技术，结合优化的内部电极设计，提升了抗热应力和机械冲击的能力。其端电极为镍障层加锡覆盖，提供良好的可焊性和抗氧化能力，支持回流焊工艺，兼容现代SMT生产线。产品通过AEC-Q200认证的可能性较高，适用于汽车级应用场景。此外，该器件无磁性、非压电，不会引入额外噪声或微音效应，适合高保真音频和敏感测量仪器使用。

NP06DB470M因其出色的稳定性和高频性能，被广泛应用于多种高性能电子系统中。在射频与无线通信领域，它常用于RF滤波器、阻抗匹配网络、天线调谐电路以及压控振荡器（VCO）中的谐振元件，保障信号传输的准确性和稳定性。在精密模拟电路中，如运算放大器反馈网络、有源滤波器和ADC/DAC参考电压旁路，其恒定电容值有助于维持系统线性度和精度。此外，在时钟生成电路和晶体振荡器负载电容配置中，该电容可确保频率输出不受温度波动影响，提高计时准确性。
　　在工业控制与测量设备中，该器件用于传感器信号调理、桥式电路补偿和高精度定时模块，发挥其低温漂和低失真的优势。在汽车电子系统中，包括车载信息娱乐系统、雷达感应模块和车身控制单元，NP06DB470M能够在宽温域和振动环境下可靠工作，满足严苛的应用需求。消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备也大量采用此类电容，用于电源去耦、高速信号完整性保护和EMI抑制。此外，医疗电子设备和测试仪器对其高度信赖，因其长期稳定性减少了校准频率，提高了设备整体可靠性。

GRM1885C1H470JA01D
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