时间：2025/6/3 21:31:31
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CDR33BX153BKZRAT 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的碳化硅 (SiC) MOSFET 芯片，采用 TO-247-3 封装形式。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适合于各种高效能电源转换应用。碳化硅材料的应用使得该器件在高温、高频以及高功率密度环境下表现出色。
额定电压：1700V
额定电流：15A
导通电阻：60mΩ
栅极电荷：80nC
最大工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
CDR33BX153BKZRAT 的主要特性包括：
1. 高额定电压（1700V），能够适应高压应用场景。
2. 低导通电阻（60mΩ），从而降低传导损耗，提升系统效率。
3. 快速开关能力，可支持高频操作，减少磁性元件体积，提升功率密度。
4. 支持宽温度范围的工作环境（-55℃ 至 +175℃），适用于恶劣条件下的工业及汽车级应用。
5. 碳化硅材料的使用显著提高了器件的热性能和可靠性。
6. 内置反并联二极管结构，简化了电路设计，降低了整体复杂度。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 工业设备中的高频开关电源和逆变器。
2. 新能源汽车中的电机驱动和车载充电器。
3. 光伏逆变器和其他可再生能源相关设备。
4. 不间断电源 (UPS) 和其他需要高可靠性和高效率的电源系统。
5. 高压 DC-DC 转换器，例如轨道交通和电力传输系统中的应用。
CDR33BZ153BKRCT, CDR33BX153BKLCY
