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CDR33BX153BKZRAT 发布时间 时间:2025/6/3 21:31:31 查看 阅读:6

CDR33BX153BKZRAT 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的碳化硅 (SiC) MOSFET 芯片,采用 TO-247-3 封装形式。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,适合于各种高效能电源转换应用。碳化硅材料的应用使得该器件在高温、高频以及高功率密度环境下表现出色。

参数

额定电压:1700V
  额定电流:15A
  导通电阻:60mΩ
  栅极电荷:80nC
  最大工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

CDR33BX153BKZRAT 的主要特性包括:
  1. 高额定电压(1700V),能够适应高压应用场景。
  2. 低导通电阻(60mΩ),从而降低传导损耗,提升系统效率。
  3. 快速开关能力,可支持高频操作,减少磁性元件体积,提升功率密度。
  4. 支持宽温度范围的工作环境(-55℃ 至 +175℃),适用于恶劣条件下的工业及汽车级应用。
  5. 碳化硅材料的使用显著提高了器件的热性能和可靠性。
  6. 内置反并联二极管结构,简化了电路设计,降低了整体复杂度。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 工业设备中的高频开关电源和逆变器。
  2. 新能源汽车中的电机驱动和车载充电器。
  3. 光伏逆变器和其他可再生能源相关设备。
  4. 不间断电源 (UPS) 和其他需要高可靠性和高效率的电源系统。
  5. 高压 DC-DC 转换器,例如轨道交通和电力传输系统中的应用。

替代型号

CDR33BZ153BKRCT, CDR33BX153BKLCY

CDR33BX153BKZRAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR33
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.015 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BX
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率R(0.01%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.049"(1.25mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-