时间：2025/12/27 10:31:05
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NP04SZB6R8N是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），专为保护敏感电子电路免受瞬态电压事件（如静电放电ESD、电感负载切换、雷击感应等）的损害而设计。该器件属于表面贴装型（SMA/SMB/SMC封装常见，具体需查证）的单向或双向TVS二极管系列，具有快速响应时间、高浪涌吸收能力和低钳位电压的特点。NP04SZB6R8N中的“6.8”通常表示其击穿电压为6.8V，适用于低压直流电路的过压保护场景。该器件广泛应用于通信设备、消费类电子产品、工业控制系统和汽车电子等领域，用于保护数据线、电源线和I/O端口。其结构基于半导体雪崩二极管原理，在正常工作电压下呈现高阻抗状态，不影响电路运行；当出现超过其击穿电压的瞬态过压时，迅速变为低阻抗状态，将浪涌电流泄放到地，从而将电压钳制在安全范围内，保护后级电路元件不被损坏。
器件型号：NP04SZB6R8N
制造商：Littelfuse
产品类型：TVS二极管
极性：单向
击穿电压（Vbr）：7.56V @ 1mA（典型值）
反向关断电压（Vrwm）：6.8V
钳位电压（Vc）：11.2V @ Ipp = 10A（典型值）
峰值脉冲功率（Ppk）：400W（8/20μs电流波形）
峰值脉冲电流（Ipp）：35.7A（最大值）
漏电流（Ir）：≤5μA @ Vrwm
响应时间：≤1ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOD-123
NP04SZB6R8N具备卓越的瞬态电压抑制能力，其核心优势在于极快的响应速度，能够在纳秒级别内对突发的高压脉冲做出反应，有效防止ESD或EFT等瞬态干扰对下游集成电路造成损伤。该器件采用先进的半导体制造工艺，确保了击穿电压的高度一致性与稳定性，同时具备优异的循环耐久性，可多次承受额定级别的浪涌冲击而不发生性能退化。其低钳位电压特性意味着在触发保护后，输出端的残压较低，能够更好地保障后级低压逻辑电路（如MCU、FPGA、USB接口芯片等）的安全。此外，NP04SZB6R8N的漏电流极低，在正常工作状态下几乎不消耗系统功耗，适合用于电池供电或对功耗敏感的应用场合。
该TVS二极管采用小型化SOD-123表面贴装封装，节省PCB空间，便于自动化贴片生产，适用于高密度布局的现代电子设备。其热稳定性良好，能够在宽温范围内可靠工作，适应严苛的工业与车载环境。器件符合RoHS环保标准，并具备良好的焊接可靠性，支持回流焊和波峰焊等多种装配工艺。由于其单向结构设计，特别适用于直流电源线路的正向过压保护，例如5V或3.3V供电轨的防反接和浪涌防护。综合来看，NP04SZB6R8N是一款高性能、高可靠性的电路保护器件，是构建稳健电子系统不可或缺的关键组件之一。
主要用于各类电子设备中的电路保护，典型应用场景包括便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的USB端口ESD防护、音频/视频接口保护；工业控制系统的传感器信号线和通信总线（如RS-232、RS-485）的瞬态抑制；汽车电子模块中低电压电源轨的过压保护；以及电源适配器、充电器、LED驱动电源等设备的输入端浪涌吸收。此外，也常用于微控制器单元（MCU）、存储器、ADC/DAC等敏感IC的引脚级防护，提升整机的电磁兼容性（EMC）和长期运行可靠性。
P6SMB-6.8A
True
