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NOIX4SN5000B-LTI 发布时间 时间:2025/5/22 9:23:02 查看 阅读:9

NOIX4SN5000B-LTI是一款高性能的MOSFET功率晶体管,属于N沟道增强型场效应晶体管。它采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类功率转换电路中。
  该器件在设计上注重效率和可靠性,能够承受较大的电流负载,同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力。其封装形式为TO-247,适合高功率应用场合。

参数

最大漏源电压:650V
  最大连续漏极电流:40A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:135nC
  反向恢复时间:90ns
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

1. 极低的导通电阻使得该器件在高电流应用中表现出色,可有效降低功耗。
  2. 高速开关性能确保了其在高频功率转换器中的高效运行。
  3. 内置过温保护机制增强了器件的可靠性与安全性。
  4. 大电流处理能力和耐高压特性使其适用于多种工业级和消费级电子产品。
  5. TO-247封装提供良好的散热性能,便于集成到复杂的电力电子系统中。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动控制
  3. 太阳能逆变器
  4. 不间断电源(UPS)
  5. 电动汽车充电设备
  6. 工业自动化设备中的功率转换模块

替代型号

IRFP460, STW85N65K5, FGA40N65SMD

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NOIX4SN5000B-LTI参数

  • 现有数量84现货
  • 价格1 : ¥2,105.71000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 类型CMOS
  • 像素大小3.2μm x 3.2μm
  • 有源像素阵列2592H x 2048V
  • 每秒帧数132
  • 电压 - 供电-
  • 封装/外壳163-BCLGA
  • 供应商器件封装163-ILGA(16x16)
  • 工作温度-