NN511662TT-60T 时间：2025/7/31 0:50:30 阅读：25

NN511662TT-60T是一款由ON Semiconductor生产的高性能双极型晶体管（BJT）阵列。这款器件内含两个独立的NPN晶体管，具有高增益和低噪声特性，适用于高频信号放大和开关应用。NN511662TT-60T采用14引脚TSSOP封装，适用于表面贴装技术，适合在紧凑型电路设计中使用。该器件的工作温度范围宽，能够在工业级温度范围内稳定工作，适合各种高性能电子设备。

参数

晶体管类型：双NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散：300mW
　　频率响应：250MHz
　　增益带宽积：100MHz
　　封装类型：14引脚TSSOP
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

NN511662TT-60T内置两个NPN晶体管，能够在高频应用中提供优异的性能。其高增益特性使得该器件在低噪声放大器和射频（RF）放大电路中表现出色。此外，NN511662TT-60T的低饱和电压和快速开关特性使其非常适合用于数字开关电路和脉冲放大电路。该器件的14引脚TSSOP封装不仅节省空间，还提高了电路板布局的灵活性。NN511662TT-60T还具有良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于严苛环境下的长期运行。
　　NN511662TT-60T的设计考虑了高频应用的需求，其晶体管之间具有良好的匹配性，可以减少电路中的失真和噪声。此外，该器件采用了先进的硅工艺制造，确保了在高频工作下的稳定性和一致性。其低基极电阻和高截止频率（fT）进一步提升了其在高频电路中的性能表现。

应用

NN511662TT-60T广泛应用于高频放大器、射频（RF）模块、信号发生器、数据通信设备、传感器接口电路、音频放大器以及数字开关电路。由于其优异的高频性能和紧凑的封装，它也常用于便携式电子设备和无线通信系统中的信号处理模块。此外，NN511662TT-60T还可用于精密测量仪器、工业控制系统和消费类电子产品中的信号调节和放大功能。