IRLR12N25D 时间：2025/12/26 21:02:56 阅读：13

IRLR12N25D是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及开关电源等高效率功率转换场合。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优良的热性能，能够在高压环境下实现高效的电能转换。其额定电压为250V，最大连续漏极电流可达12A，适合中等功率级别的应用需求。IRLR12N25D封装形式为TO-252（DPAK），是一种表面贴装型封装，便于在PCB上进行自动化焊接，并具备良好的散热能力，适用于需要紧凑设计且对热管理有要求的应用场景。
　　该MOSFET的设计优化了动态性能与导通损耗之间的平衡，使其在高频开关条件下仍能保持较低的能量损耗。此外，它还具备较强的雪崩能量承受能力，提高了系统在瞬态过压情况下的可靠性。内置的体二极管也经过优化，有助于改善反向恢复特性，在感性负载切换时减少电压尖峰和电磁干扰。总体而言，IRLR12N25D是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于工业控制、消费电子、电信电源及照明驱动等多种领域。

参数

型号：IRLR12N25D
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：250V
　　漏极电流（ID）@25°C：12A
　　漏极电流（ID）@100°C：7.5A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：0.22Ω
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：0.3Ω
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：520pF @ 25V VDS
　　输出电容（Coss）：140pF @ 25V VDS
　　反向恢复时间（trr）：48ns
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-252 (DPAK)

特性

IRLR12N25D采用英飞凌成熟的沟槽栅极技术和硅基工艺，确保了其在高电压应用中的优异性能表现。其核心优势之一是低导通电阻，在VGS=10V时典型值仅为0.22Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统的能效。尤其是在DC-DC转换器或同步整流电路中，这种低RDS(on)特性可以直接转化为更低的温升和更高的效率。同时，即便在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下，其RDS(on)也能保持在0.3Ω以内，使得该器件兼容于现代低电压逻辑驱动器（如3.3V或5V微控制器输出），无需额外的电平转换电路即可直接驱动。
　　该MOSFET具有出色的开关特性，输入电容（Ciss）仅为520pF，输出电容（Coss）为140pF，这意味着在高频操作下所需的驱动功率较小，有利于提高开关频率并减小外围滤波元件的体积。这对于追求小型化和高密度电源设计的应用尤为重要。此外，较短的反向恢复时间（trr=48ns）表明其体二极管具有较快的响应速度，减少了在桥式拓扑或感性负载切换过程中产生的电压振荡和能量损耗，从而增强了系统的稳定性和EMI性能。
　　从可靠性角度看，IRLR12N25D具备良好的热稳定性，最大结温可达+150°C，并支持高达50W的功率耗散（在理想散热条件下）。其TO-252封装不仅支持表面贴装工艺，还允许通过PCB铜箔或外接散热片有效导出热量，提升了长期运行的可靠性。器件还通过了严格的雪崩测试，具备一定的重复性雪崩能量耐受能力，可在意外过压或电感突变情况下提供一定程度的自我保护，避免立即失效，增强了系统鲁棒性。综上所述，IRLR12N25D在性能、效率与可靠性之间实现了良好平衡，是中高压功率开关应用的理想选择。

应用

IRLR12N25D广泛用于各类中等功率开关电源系统中，尤其适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。常见用途包括离线式AC-DC电源中的主开关或同步整流器，特别是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中作为次级侧同步整流MOSFET使用，能够显著提升转换效率，降低发热。此外，它也被广泛应用于DC-DC降压（Buck）、升压（Boost）及升降压（Buck-Boost）变换器中，适用于工业电源模块、服务器电源、电信设备供电单元等对能效要求较高的场合。
　　在电机驱动领域，IRLR12N25D可用于中小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，承担高速开关任务。其快速开关能力和较低的导通损耗有助于实现精确的速度控制和节能运行。同时，由于其具备较强的抗冲击电流能力，也能适应启动瞬间的大电流需求。
　　其他典型应用还包括LED照明驱动电源，尤其是大功率LED恒流源设计中，作为功率开关元件参与PWM调光控制；在太阳能逆变器或储能系统的功率级中，也可用作辅助开关或保护电路的一部分。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制、热插拔电路保护以及各种电子负载开关设计中。凭借其稳定的电气特性和坚固的封装结构，IRLR12N25D适用于工业自动化、通信基础设施、消费类电子产品和可再生能源系统等多个行业。