类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：80V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：3.1A
　　导通电阻（RDS(on)）：140mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：1.6W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

NN15800A-VT 具备一系列优良的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。
　　其次，该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，使得在相同芯片面积下，导通电阻更低，同时具有优异的开关性能，适用于高频开关应用。
　　此外，NN15800A-VT 的DFN2020-6封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，而且具备良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性与可靠性。
　　该器件还具有较高的热阻（Rth）性能，能够在较高环境温度下稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至10V之间即可实现充分导通，适用于多种驱动电路设计。
　　NN15800A-VT 符合RoHS环保标准，无卤素，符合现代电子设备对环保材料的要求。

NN15800A-VT 广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关控制，以实现高效能的电源转换和分配。
　　在电池供电设备中，如便携式电子产品、智能穿戴设备和移动电源，NN15800A-VT 可作为负载开关或电源路径管理器件，有效延长电池寿命。
　　此外，该器件也适用于电机驱动、LED驱动和传感器控制等功率控制场合，提供稳定可靠的开关功能。
　　由于其优异的高频开关性能，NN15800A-VT 还可用于电源适配器、无线充电系统和开关电源模块等应用中。

NDS355AN, AO3400A, BSS138