类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：6.1A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为14.5mΩ（典型值可能更低）
　　功率耗散（Ptot）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TSOP / SOT-457
　　引脚数：6
　　阈值电压（Vgs(th)）：0.45V至1.5V（随温度变化）

NMP111(N)的主要特性之一是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压下可低至约14.5mΩ，这有助于显著降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该器件具备较高的连续漏极电流能力，最大可达6.1A，适用于多种中高功率应用场景。
　　该MOSFET采用了Nexperia的高性能沟槽技术，确保了良好的热稳定性和高频性能，使其在高频开关应用中表现出色。其6引脚TSOP封装不仅体积小巧，而且通过优化设计提高了散热效率，有助于在高功率密度设计中实现良好的热管理。
　　NMP111(N)的栅极驱动电压范围为±12V，但其阈值电压较低，通常在0.45V至1.5V之间，这意味着它可以使用较低的驱动电压来开启，适用于低压微控制器或数字逻辑电路直接控制。这种特性在电池供电设备或低功耗系统中尤为重要。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，具备良好的温度稳定性，适用于各种严苛环境下的工业和汽车应用。其高可靠性和优异的热性能使其成为电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用的理想选择。

NMP111(N)广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要高效功率控制和高电流能力的场合。例如，在DC-DC降压或升压转换器中，该MOSFET可作为主开关器件，提供低导通损耗和高转换效率。
　　它也常用于电池管理系统，如便携式设备的电源管理模块、电动工具、无人机和电动车辆中的电池保护电路。在这些应用中，NMP111(N)可以作为高边或低边开关，实现对电池充放电过程的高效控制。
　　此外，该器件适用于负载开关电路，用于控制各种外设的电源供应，如LED照明、电机驱动、传感器模块等。由于其高电流能力和低Rds(on)，NMP111(N)能够在负载切换过程中减少功耗并提高系统效率。
　　在工业自动化和嵌入式系统中，该MOSFET也常用于H桥电机驱动、电源分配系统以及各种需要高速开关能力的数字控制应用。

NMP111(N)的替代型号包括NXP的PSMN1R2-20YLC、ON Semiconductor的NTMFS4C10N和Alpha & Omega Semiconductor的AONR1111。这些型号在电气特性和封装形式上与NMP111(N)相近，具备相似的电压、电流和导通电阻性能，适用于多种替代设计需求。