NMC27C256Q250 时间：2025/8/13 17:46:11 阅读：20

NMC27C256Q250 是由Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）制造的一款高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），具有低功耗和高性能的特点。该器件采用异步设计，适用于需要快速读取和写入操作的系统。其容量为256K位（32K x 8），封装为标准的28引脚塑料双列直插式封装（PDIP）或表面贴装（SOIC）封装，适合多种嵌入式系统和工业应用。

参数

类型：异步SRAM
　　容量：256K位（32K x 8）
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：25 ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：28引脚 PDIP 或 28引脚 SOIC
　　输入/输出电压兼容性：CMOS/TTL 兼容
　　读取电流（典型值）：10 mA
　　待机电流（典型值）：10 μA

特性

NMC27C256Q250 采用高性能CMOS技术，具备低功耗和高速操作的双重优势。其异步SRAM架构允许在无时钟信号控制下进行数据读取和写入操作，使得系统设计更加灵活。该器件的高速访问时间为25 ns，支持快速数据处理，适用于需要高吞吐量的应用场景。
　　该SRAM支持宽电压范围（2.3V至3.6V），提高了在不同系统中的适用性，并增强了抗噪声能力。其低待机电流（典型值为10 μA）使其适用于电池供电或低功耗系统。
　　此外，NMC27C256Q250 具有宽温度范围（-40°C至+85°C），适用于工业级环境，确保在恶劣条件下稳定运行。该器件封装形式多样，包括PDIP和SOIC，便于在不同PCB布局中使用。