时间：2025/9/14 14:28:36
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NMB2227AZ是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高开关性能，适用于多种高效率电子系统。NMB2227AZ的封装形式为TO-220，便于散热和安装。
类型：N沟道
漏极电流：最大27A
漏极-源极电压：最大60V
栅极-源极电压：最大±20V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.034Ω
功率耗散：最大125W
工作温度范围：-55°C至150°C
NMB2227AZ具备多项优良特性，包括低导通电阻、高电流处理能力和出色的热性能。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流条件下的低功耗和高效率。该器件的高电流处理能力使其能够胜任高负载应用，如电源转换器和电机驱动器。此外，NMB2227AZ的TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高温环境下稳定运行。其坚固的设计和宽工作温度范围使得该MOSFET适用于工业和汽车电子等严苛环境。
NMB2227AZ主要用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池充电器等应用。其高效率和高可靠性使其成为工业自动化、汽车电子和消费类电子产品中的理想选择。
IRFZ44N, FDP6N60, STP55NF06
