NM3402M8X 时间：2025/12/28 14:42:15 阅读：14

NM3402M8X 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻和高开关性能。该器件采用 8 引脚的 TSOP 封装，适用于需要高效能和小型化设计的电源管理应用。NM3402M8X 在设计上兼顾了导通损耗和开关损耗的优化，使其在各类 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理模块中表现出色。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.9A
　　导通电阻（Rds(on)）：23mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
　　栅极电荷（Qg）：8.5nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：TSOP 8 引脚

特性

NM3402M8X 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)）为 23mΩ，在 Vgs=4.5V 时可提供较低的导通损耗，有助于提高系统的能效。该 MOSFET 还具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流为 4.9A，使其适用于中等功率的电源管理任务。此外，其栅极电荷（Qg）仅为 8.5nC，有助于减少开关损耗并提高开关速度，适合高频应用。
　　该器件采用了 Nexperia 的 Trench MOS 技术，这不仅提高了器件的导通性能，还优化了热管理能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。TSOP 8 引脚封装提供了紧凑的尺寸，适合高密度 PCB 布局，并且具有良好的热性能，便于散热。
　　NM3402M8X 的栅源电压范围为 ±12V，确保在各种驱动条件下都能稳定工作，同时具备良好的抗过压能力。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其能够在严苛的工业和汽车环境中可靠运行。

应用

NM3402M8X 主要应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统，例如同步整流 DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源分配系统以及便携式电子设备中的功率控制电路。其优异的导通和开关性能也使其成为电机驱动器、LED 照明驱动器和工业自动化设备的理想选择。
　　在移动设备中，NM3402M8X 可用于电源管理模块中的高侧或低侧开关，帮助实现更高效的能量利用。在汽车电子系统中，该器件可应用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等场景。此外，NM3402M8X 也适用于服务器和通信设备中的功率分配和热插拔保护电路。