GW6TGCBG40C 时间：2025/8/28 4:13:32 阅读：15

GW6TGCBG40C 是一款由 GlobalWafers 生产的碳化硅（SiC）功率晶体管，主要用于高功率、高效率的电力电子系统中。与传统的硅基功率晶体管相比，SiC器件具有更高的导热性、更高的击穿电场强度以及更低的开关损耗。这使得GW6TGCBG40C在高温、高电压和高频率的工作环境下表现出色。该器件属于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）类型，适用于诸如电动汽车充电系统、工业电源、可再生能源系统和智能电网等应用。

参数

类型：碳化硅 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1200V
　　最大漏极电流（ID）：40A
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-247
　　栅极电荷（QG）：120nC
　　输入电容（Ciss）：3500pF
　　功率耗散（PD）：200W

特性

GW6TGCBG40C具有多个显著的性能优势。首先，其碳化硅材料使得器件在高温下仍能稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。其次，该MOSFET的导通电阻非常低，仅为60mΩ，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有快速的开关特性，能够有效减少开关损耗，从而提升整体功率转换效率。由于其高击穿电压能力，GW6TGCBG40C可在1200V的高压环境下稳定运行，适用于高功率密度设计。同时，该器件的封装形式为TO-247，便于安装和散热，适合高功率应用。另外，其低栅极电荷（QG）和输入电容（Ciss）也使其在高频应用中表现优异。

应用

GW6TGCBG40C广泛应用于多个高功率领域，包括电动汽车充电器、车载充电系统、光伏逆变器、储能系统、UPS不间断电源、工业电机驱动器、电力牵引系统以及智能电网设备。由于其高效的能量转换能力和优异的热管理性能，它特别适用于需要高可靠性和高能效的系统设计。在电动汽车领域，该器件可用于车载充电机和DC-DC转换器，提高充电效率和能量利用率。在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风能变流器，GW6TGCBG40C可以有效降低系统损耗，提高整体能源转换效率。